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SiS902DN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
100
25 °C, unless otherwise noted
0.5
0.4
I D = 3 A
10
T J = 150 °C
1
T J = 25 °C
0.3
0.2
0.1
T J = 125 °C
T J = 25 °C
0.1
0.0
0.0
0.5
1.0
1.5
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
2.4
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
50
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
40
2.1
I D = 250 μA
30
1. 8
20
1.5
10
1.2
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
10
1
Limited b y R DS(on)*
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100 μ s
1 ms
10 ms
100 ms
0.1
1s
10 s
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
DC
0.1
1 10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
Document Number: 64804
S09-0661-Rev. A, 20-Apr-09
www.vishay.com
5
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